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J-GLOBAL ID：200903009484980201

半導体レーザ装置

Inventor： 粂 雅博 ,  内藤 浩樹 ,  立岡 一樹 ,  中西 秀行
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991260388
Publication number (International publication number)：1993102602
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザチップ2を搭載するヒートシンクにサージ電流に対する保護手段を設け、静電破壊耐能を向上させて、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。【構成】 ヒートシンクにサージ電流を吸収するための集積回路を形成し、この集積回路と半導体レーザチップ2を電気的に接続する。

Claim (excerpt)：

ヒートシンク上に搭載された半導体レーザチップを一定光出力で駆動する半導体レーザ装置であって、ヒートシンクにサージ電流を吸収するための集積回路を形成し、この集積回路と半導体レーザチップを電気的に接続したことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-299092
  
• 特開昭62-069694
  
• 特開平2-251190