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J-GLOBAL ID：200903009490148399

気相エッチング工程を含む半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体単結晶鏡面ウエーハ

Inventor： 大石 弘
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996099047
Publication number (International publication number)：1997266186
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 気相エッチング工程を含む半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法で問題となる、ウエーハ表面に新たに生じるヘイズ、あるいは表面に欠陥や歪みが入るうえ、高コスト、低生産性であるといった問題を解消する、高度な平坦度を有する半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】 気相エッチング工程を含む半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法において、気相エッチング工程前の鏡面研磨工程では粗研磨にとどめ、仕上げ研磨は気相エッチング工程後に行う。そして、気相エッチング工程後であって、最終洗浄工程前において、熱処理工程を行い、この熱処理工程は、ドナーキラー熱処理と兼用する。このような工程を特徴とする半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法、およびこの方法で製造される半導体単結晶鏡面ウエーハ。

Claim (excerpt)：

少なくとも、半導体単結晶棒をスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程で得られたウエーハの外周エッジ部を面取りする面取り工程と、面取りされたウエーハをラッピングしてこれを平坦化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングされたウエーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、鏡面研磨されたウエーハの表面を高度に平坦化する気相エッチング工程と、鏡面研磨され高度に平坦化されたウエーハを洗浄する最終洗浄工程と、から成る半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法において、前記気相エッチング工程前の鏡面研磨工程では粗研磨にとどめ、仕上げ研磨は気相エッチング工程後に行う、ことを特徴とする半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/302 P