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J-GLOBAL ID：200903009503758604

光半導体モジユール

Inventor： 伊木 志成子 ,  久野 裕也
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293301
Publication number (International publication number)：1993134149
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大型化を招くことなく光結合損失軽減を図ることができるとともに、光ファイバの光軸が受光面の中心と位置ずれを生じても光結合損失を増加させない光半導体モジュールを提供することにある。【構成】 ケーシング1,8内に受光素子チップ2が収納されている。キャップケーシング8には、光ファイバ16からの光をケーシング1,8内に導入するための窓部9が形成され、ケーシング1,8内において窓部9から受光素子チップ2の近接位置まで光ファイバ12が延設されている。光ファイバ16のコア径をd1 、光ファイバ12のコア12aの光入射側端面径をd2 、光ファイバ16の光出射側端面と光ファイバ12のコア12aの光入射側端面との距離をL、光ファイバ16の開口数をNAとしたとき、d2 >d1 +2・L・tan〔sin-1(NA)〕が満足されている。

Claim (excerpt)：

光を電気信号に変換する受光素子チップを収納したケーシングと、前記ケーシングに形成され、光ファイバからの光をケーシング内に導入するための窓部と、前記ケーシング内において前記窓部から前記受光素子チップの近接位置まで延設され、前記光ファイバからの光を前記受光素子チップに導くための導光部材とを備え、前記光ファイバのコア径をd1 、前記導光部材の光入射側端面径をd2 、前記光ファイバの光出射側端面と前記導光部材の光入射側端面との距離をL、前記光ファイバの開口数をNAとしたとき、d2 >d1 +2・L・tan〔sin-1(NA)〕を満足するようにしたことを特徴とする光半導体モジュール。

IPC (2)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/0232