集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035569
Publication number (International publication number)：1995320670
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】SiウエハやSiデバイスなどの試料に対しFIBを照射して、電気的汚染やビーム照射によるコンタミネイションを発生させることなく試料の特定箇所を微細加工、微細成膜、分析することが可能な集束イオンビーム発生手段を備えた処理装置及び処理方法を提供する。【構成】集束イオンビーム発生手段を備えた処理装置に、試料18の電気的特性に影響をおよぼさないイオンを発生させるプラズマイオン源または液体金属イオン源と、このイオン源で発生させたイオンを引出してイオンビームを形成するイオンビーム形成手段と、形成したイオンビームを集束させるイオンビーム集束手段と、集束させたイオンビーム20を試料に照射する照射手段と、照射により処理される試料を設置する試料室とを備える。

Claim (excerpt)：

処理すべき試料の電気的特性に影響をおよぼさないイオンを発生させ、該発生させたイオンを集束してイオンビームを形成し、該形成したイオンビームを前記試料に照射し、該試料を該試料の電気的特性を損なうことなく処理することを特徴とする集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法。

IPC (4)：

H01J 37/08 , H01J 27/18 , H01J 37/317 , H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平2-090520
特開平2-090520
特開平1-236546

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