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J-GLOBAL ID：200903009512424654

窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子

Inventor：
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995148470
Publication number (International publication number)：1997008403
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子を提供する。【構成】 絶縁性基板の上に窒化物半導体層が成長されたウェーハの窒化物半導体層面に導電性基板を接着する第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全部を除去して窒化物半導体層を露出させる第二の工程とを備え、露出させた窒化物半導体層と、導電性基板とに対向する電極を設ける。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板の上に窒化物半導体層が成長されたウェーハの窒化物半導体層面に導電性基板を接着する第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全部を除去して窒化物半導体層を露出させる第二の工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/02 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
  • 特開昭50-091292
  • 特開昭61-182292
  • 特開昭61-007671
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