埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつCMOS集積回路素子及び基板とその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000849
Publication number (International publication number)：2001217433
Application date： Jan. 05, 2001
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつCMOS集積回路素子及び基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 CMOS集積回路素子が電気的な絶縁層と該絶縁層上の歪みのない活性層を含む。絶縁ゲート電極が歪みのないシリコン活性層の表面に与えられる。Si1-xGex層が前記絶縁層と前記シリコン活性層との間に配置される。Si1-xGex層は前記シリコン活性層と第1接合を形成し、その内にゲルマニウムがピークレベルから前記シリコン活性層の表面に向かう第1方向で単調に減少する傾斜した濃度をもつ。ゲルマニウムのピーク濃度レベルはx=0.15以上であり、Si1-xGex層内でゲルマニウムの濃度はピークレベルから第1接合でx=0.1以下のレベルまで変化する。第1接合でゲルマニウムの濃度は急傾斜であり得る。

Claim (excerpt)：

電気的な絶縁層と、前記電気的な絶縁層上の歪みのないシリコン活性層と、前記歪みのないシリコン活性層表面上の絶縁されたゲート電極と、前記電気的な絶縁層と前記歪みのないシリコン活性層との間に配置され、前記歪みのないシリコン活性層と第1接合を形成し、その内でゲルマニウムがピークレベルから表面に向けて延びる第1方向に単調に減少する傾斜した濃度をもつSi1-xGex層と、を含んでなるSOI電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 27/12 B , H01L 29/78 618 E , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

SOI基板構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-318983 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-351983 Applicant：富士通株式会社
半導体基体及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046302 Applicant：キヤノン株式会社

薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135037 Applicant：株式会社東芝

SOI電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-014013 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

SiGe層を具えた半導体電界効果デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-522616 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

半導体基板の製造方法およびこれにより製造された半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-357158 Applicant：株式会社東芝

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000282 Applicant：株式会社東芝

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-230329 Applicant：株式会社東芝

集積CMOS回路装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-276394 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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