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J-GLOBAL ID：200903009515377134

半導体装置の製造方法

Inventor：
土屋 裕紀

About 土屋 裕紀


Applicant, Patent owner：
株式会社シチズン電子

About 株式会社シチズン電子


Agent (1)： 浅川 哲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002250621
Publication number (International publication number)：2004095580
Application date： Aug. 29, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：
【課題】半導体素子を封止する樹脂封止体を所定の形状に精度よく成形できると共に、製造コストや工数の掛からない半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】発光素子24を基板22に実装する実装工程と、前記実装した発光素子24を樹脂材で封止する封止工程とを備えた樹脂封止型の発光ダイオード21の製造方法において、前記封止工程によって樹脂成形された封止体26をX軸、Y軸及びZ軸方向の走査制御が可能なブレード29によって所定の形状に成形する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体素子を基板に実装する実装工程と、前記実装した半導体素子を樹脂材で封止する封止工程とを備えた半導体装置の製造方法において、 前記封止工程によって形成された樹脂封止体の表面を切削して、所定形状に成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01L21/56
FI (2)：
H01L33/00 N ,  H01L21/56 J
F-Term (13)：
5F041AA41 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA42 ,  5F041DA47 ,  5F041DA55 ,  5F041DA75 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-357466   Applicant：三洋電機株式会社
  • 三次元造形方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-293589   Applicant：ローランドディー.ジー.株式会社
  • 特開昭61-110477
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