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J-GLOBAL ID：200903009533030214

ダイヤモンドの成膜方法

Inventor： 広中 克行 ,  岡本 勉 ,  斉藤 真樹 ,  阿蘇 興一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991319033
Publication number (International publication number)：1993156445
Application date： Dec. 03, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンドの成膜方法において、ダイヤモンド結晶核の発生密度を高め、成膜後の膜厚のばらつきを抑制して、より均一なダイヤモンド膜を得る。【構成】 無機耐熱性基体1上に、気相化学成長法を用いてダイヤモンド膜を形成するダイヤモンドの成膜方法において、無機耐熱性基体1に、予め水素プラズマの照射により凹部2を形成する。

Claim (excerpt)：

無機耐熱性基体上に、気相化学成長法を用いてダイヤモンド膜を形成するダイヤモンドの成膜方法において、上記無機耐熱性基体の表面に、予め水素プラズマの照射により多数の微小な凹部を形成した後ダイヤモンドを成膜することを特徴とするダイヤモンドの成膜方法。

IPC (4)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C23F 4/00 ,  C30B 29/04