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J-GLOBAL ID：200903009546834746

ギャップで分断された薄膜の製造方法、およびこれを用いたデバイスの製造方法

Inventor：
村田 英幸

About 村田 英幸

, 
石井 佑弥

About 石井 佑弥


Applicant, Patent owner：
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学

About 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学


Agent (1)： 鎌田 耕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008121512
Publication number (International publication number)：2009272432
Application date： May. 07, 2008
Publication date： Nov. 19, 2009
Summary：
【課題】 幅が1μm未満であるギャップ(ナノギャップ)を有する薄膜の新たな製造方法を提供する。【解決手段】 基材1上に配置した径が1μm未満であるファイバー(ナノファイバー)2の上およびこのファイバー2に隣接する基材1の表面上に薄膜を構成する材料3を堆積させ、ファイバー2をこの上に堆積した薄膜材料3とともに除去し、ナノギャップ5を形成する。ファイバー2は、エレクトロスピニング法により予め作製したものを用いるとよい。具体的には、離間して配置された2つのコレクタの間を掛け渡すように原ファイバーを作製し、2つのコレクタの間の距離を広げることにより原ファイバーを延伸するとともに細径化すれば、径が均一化されたナノファイバーを得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基材上に配置した径が1μm未満であるファイバーの上および前記ファイバーに隣接する前記基材の表面上に薄膜材料を堆積させ、 前記基材の表面上に堆積した前記薄膜材料が前記ファイバーを配置した領域に形成されたギャップにより分断された薄膜を形成するように、前記ファイバーを当該ファイバー上に堆積した前記薄膜材料とともに除去する、幅が1μm未満であるギャップで分断された薄膜の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/28 ,  H01B 13/00 ,  B82B 3/00
FI (3)：
H01L21/28 E ,  H01B13/00 503D ,  B82B3/00
F-Term (6)：
4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104HH14 ,  5G323CA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (5)
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