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J-GLOBAL ID：200903009546970666

強誘電体不揮発性記憶装置

Inventor： 高須 秀視
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301680
Publication number (International publication number)：1993145077
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】強誘電体の特徴である残留分極を利用した不揮発性記憶装置であって、正確に作動する強誘電体不揮発性記憶装置を提供する。【構成】基板内のp形シリコンウエル14に、n+形ドレイン層24及びn+形ソース層26が設けられる。p形シリコンウエル14上に、高誘電体膜22、白金層20、強誘電体膜18、白金層16が順に積層されている。この様なメモリセル3を利用して強誘電体不揮発性記憶装置を形成する。この装置においては、白金層16と基板間に電界を印加することによって情報を書込む。一方、書込時とは反対方向に電界を印加することによって情報を消去する。また、情報の読み出しにおいては、チャンネル領域28が導通状態にあるか否かで判断される。

Claim (excerpt)：

半導体基板に設けられた第一導電型の半導体領域と、前記半導体領域内に形成された第二導電型の少なくとも一対の拡散領域と、前記半導体領域上に形成された強誘電体材料から成る強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された制御電極と、を備える強誘電体不揮発性記憶装置において、前記半導体領域と前記強誘電体膜との間に絶縁膜を設けたことを特徴とする強誘電体不揮発性記憶装置。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭55-128873
  
• 特開昭52-042381
  
• 特開昭60-113474
  
• 特開昭57-172772