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J-GLOBAL ID:200903009557654103

共振子装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 五十嵐 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994029036
Publication number (International publication number):1995221587
Application date: Jan. 31, 1994
Publication date: Aug. 18, 1995
Summary:
【要約】【目的】 Qが高く、高感度で、かつ、小型の共振子装置を提供する。【構成】 Si基板1上に対となる電極17,18を対向形成する。この対となる電極17,18間に空気又は真空の空洞8を形成し、印加電圧によって容量が可変するQの高いキャパシタ素子11を形成し、このキャパシタ素子11と共振子を並列接続して、Qの高い発振回路の共振子装置を形成する。
Claim (excerpt):
印加電圧によって容量を可変するキャパシタ素子が共振子に接続されている共振子装置において、前記キャパシタ素子は、基板上に対となる電極を対向形成し、この対となる電極間に空洞を形成したものによって構成されていることを特徴とする共振子装置。
IPC (2):
H03H 9/02 ,  H03H 3/02

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