プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998354178
Publication number (International publication number)：2000183038
Application date： Dec. 14, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】マイクロストリップ型の電磁波放射アンテナを用いてUHF帯領域の電磁波を真空容器内に導入してプラズマを発生させ、該真空容器内に設置された試料の表面のシリコン酸化膜のエッチング処理を行なうプラズマ表面処理装置において、12インチ以上の大口径ウエハに対しても高均一,高精度のエッチング特性を実現すること。【解決手段】下部電極6上に載置された試料(ウエハ)7の周囲に、円環状部材(フォーカスリング)17を設け、これに高周波バイアス電力印加手段8’,9’により高周波バイアス電力を印加してウエハ7表面でのラジカル濃度分布を均一化する。また、フォーカスリング17の表面温度調整手段18を付加してフォーカスリング17の表面温度を調整することにより、ウエハ周辺領域のフッ素ラジカルの消費を促進させて、ウエハ周辺での窒化膜エッチング速度を低減させる。【効果】プラズマ中のラジカル分布の均一性向上によって、均一かつ高精度の表面処理を実現できる。

Claim (excerpt)：

真空排気手段によって真空排気されている真空容器と、上記真空容器内に原料ガスを導入するためのガス導入手段と、上記真空容器内に被加工試料を設置する手段と、上記真空容器内に高周波電力を導入する手段とを有し、上記のガス導入手段によって上記真空容器内に導入された上記原料ガスを上記高周波電力でプラズマ化し、上記プラズマによって上記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、上記被加工試料設置手段の周囲に、上記プラズマ中で生成される活性種を制御するための活性種制御手段を設けてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , B01J 3/00 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , B01J 3/00 J , H05H 1/46 A , H05H 1/46 M

F-Term (15)：

5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB22 , 5F004BB29 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CA09 , 5F004CB02 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F004EB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

RFプラズマリアクタ用熱制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-304911 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-285537 Applicant：株式会社東芝
特開平3-177020

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