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J-GLOBAL ID：200903009596903153

光起電力素子およびその作製方法

Inventor： 横山 優子 ,  村上 勉 ,  一ノ瀬 博文 ,  長谷部 明男
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107082
Publication number (International publication number)：1994318723
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、シャントを防止し、シリーズ抵抗を低減して変換効率を高めると共に、電極の剥離等の問題を解決して、特性が良好で信頼性の高い光起電力素子を提供することを目的とする。また、量産性が良く、信頼性の高い光起電力素子の作製方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に、半導体層、短絡電流を防止するための高抵抗電極層、及び低抵抗電極を少なくとも形成してなる光起電力素子において、前記半導体層と前記電極層との間に絶縁層を設け、該絶縁層を通して前記電極層と前記半導体層とを電気的に接続させたことを特徴とする。また、基板上に、半導体層、絶縁層、及び電極層を少なくとも形成してなる光起電力素子の作製方法において、半導体層形成後、高分子樹脂からなる絶縁層を形成し、更に高分子樹脂バインダーを含む導電性ペーストを用いて電極層を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、半導体層、短絡電流を防止するための高抵抗電極層、及び低抵抗電極を少なくとも形成してなる光起電力素子において、前記半導体層と前記電極層との間に絶縁層を設け、該絶縁層を通して前記電極層と前記半導体層とを電気的に接続させたことを特徴とする光起電力素子。