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J-GLOBAL ID：200903009599693443

フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子

Inventor： 李 根守 ,  鄭 載昌 ,  申 起秀
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002122435
Publication number (International publication number)：2003040931
Application date： Apr. 24, 2002
Publication date： Feb. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 VUV(157nm)光源でも用いることができるフォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体、その重合体及びこれを利用するフォトレジスト組成物である。【化1】前記式で、X1、X2、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、l、m、は明細書に定義した通りである。

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】前記式で、X1及びX2は、各々炭素数C1〜C10のアルキレン、O又はSで、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7及びY8は、各々ハロゲン、一部がハロゲンに置換されたアルキル、又は全部がハロゲンに置換されたアルキルであり、l及びmは、各々0〜3の中から選択される整数である。

IPC (10)：

C08F 32/08 ,  C07C 23/38 ,  C07D493/08 ,  C07D495/08 ,  C08F 34/02 ,  C08F 34/04 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (10)：

C08F 32/08 ,  C07C 23/38 ,  C07D493/08 A ,  C07D495/08 ,  C08F 34/02 ,  C08F 34/04 ,  C08F220/18 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (50)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C071AA03 ,  4C071AA07 ,  4C071BB05 ,  4C071CC11 ,  4C071CC21 ,  4C071DD08 ,  4C071EE05 ,  4C071EE13 ,  4C071FF15 ,  4C071FF23 ,  4C071HH01 ,  4C071LL03 ,  4C071LL05 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006AB92 ,  4H006EA17 ,  4J100AL02R ,  4J100AL03R ,  4J100AL24Q ,  4J100AM45Q ,  4J100AM47Q ,  4J100AR09P ,  4J100BB07P ,  4J100BC53P ,  4J100BC83P ,  4J100CA01 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-266788   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社