Pat
J-GLOBAL ID:200903009600551003
パターン補正方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998351094
Publication number (International publication number):2000181045
Application date: Dec. 10, 1998
Publication date: Jun. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 光近接効果の補正を高精度に行なえるようにする。【解決手段】 テストパターン測定工程ST12において、ウェハ上に転写されたテストパターンの寸法を測定する。続いて、プロセス変動計算工程ST13において実プロセスにおける各種パラメータの変動量、例えば、露光量の変動として±5%、デフォーカスとして±0.45μmの場合を想定し、このような変動要因が正規分布を持って変動していると仮定する。次に、寸法分布及び平均値取得工程ST14において、寸法分布特性を取得した後、寸法分布ごとにそれぞれ平均値を算出する。次の寸法補正量決定工程ST15において、算出した平均値に基づいて、転写パターンが所定の設計値となるようにフォトマスクの設計パターンの寸法補正量を決定する。
Claim (excerpt):
フォトマスクのパターンを基板上に転写する際に、前記基板上に転写された転写パターンが所望の設計パターンに近づくように前記フォトマスクのパターンの寸法を補正するパターン補正方法であって、前記フォトマスクのパターンの転写時に発生するフォーカスの変動、露光量の変動及びマスク寸法の変動等の変動要素を用いて、前記転写パターンが前記設計パターンに近くなるように前記フォトマスクの設計パターンの寸法を補正することを特徴とするパターン補正方法。
IPC (2):
FI (3):
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 515 F
F-Term (10):
2H095BB01
, 5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CA04
, 5F046CA07
, 5F046CB17
, 5F046DA12
, 5F046EA09
, 5F046EC05
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