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J-GLOBAL ID：200903009605613163

光電変換素子とその製造方法

Inventor： 角崎 雅博 ,  松田 敏弘 ,  山崎 茂一 ,  谷野 克巳 ,  市川 良雄 ,  田畑 裕信 ,  三井 清隆 ,  長谷川 益夫
Applicant, Patent owner： 富山県 ,  富山軽金属工業株式会社 ,  中越合金鋳工株式会社 ,  株式会社タナカエンジニアリング
Agent (1)： 廣澤 勲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041535
Publication number (International publication number)：1998223924
Application date： Feb. 10, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低コストで生産性が良くかつ光電変換効率の良い光電変換素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 酸化スズと酸化インジウムとの合金(以下ITOという)等の透明な導電膜2を有した導電性基板3上に、平均粒径が100nm以下1nm以上、好ましくは数十nmのアナターゼ型酸化チタン粉末を焼成してなる酸化チタン膜4を形成する。酸化チタン膜4を光入射側電極として備え、酸化チタン膜4に、光の変換波長領域を広げる増感剤としてルテニウム錯体8等を積層してなる。

Claim (excerpt)：

透明な導電性基板上に、平均粒径が100nm以下1nm以上のアナターゼ型酸化チタン粉末を焼成してなる酸化チタン膜を、光入射側電極として設けたことを特徴とする光電変換素子。