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J-GLOBAL ID：200903009623823736

パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

Inventor： 菅田 祥樹 ,  金子 文武 ,  立川 俊和
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002191055
Publication number (International publication number)：2004037570
Application date： Jun. 28, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、加熱処理時における被覆形成剤の熱収縮率を格段に向上させ、良好なプロフィルおよび現在の半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーとアミド基含有モノマーを含むパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと、アミド基含有モノマーを含むことを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。

IPC (2)：

G03F7/40 ,  H01L21/027

FI (3)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570

F-Term (4)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  5F046LA18