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J-GLOBAL ID：200903009627334403

III族窒化物半導体素子

Inventor： 寺嶋 一高 ,  宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998173263
Publication number (International publication number)：2000012896
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaAsを基板として、連続性と結晶性に優れる立方晶のIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光部を構成して発光特性に優れるIII 族窒化物半導体発光素子を得る。【解決手段】 GaAs基板上にBP系材料からなる低温緩衝層を設ける。低温緩衝層上にはBPN混晶またはBAsN混晶からなる接合層を設ける。この積層系を下地として結晶性に優れるIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光部を構成する。

Claim (excerpt)：

III -V族化合物半導体単結晶基板と、該基板の表面に設けた緩衝層と、該緩衝層に接合するIII 族窒化物半導体結晶層とを備えた積層構造体から構成されるIII 族窒化物半導体素子に於いて、III -V族化合物半導体単結晶基板が砒化ガリウム(化学式:GaAs)からなり、該基板の表面に設けられた緩衝層が、リン化硼素多量体結晶(B<SB>i</SB> P<SB>j</SB> :i>1、j≧1)の含有率を5%以下とするリン化硼素(BP)系III -V族化合物半導体結晶から構成され、該緩衝層と接合をなすIII 族窒化物半導体結晶層が、窒化リン化硼素3元混晶(BP<SB>1-X</SB> N<SB>X</SB> :0<X<1)または窒化砒化硼素3元混晶(BAs<SB>1-Y</SB> N<SB>Y</SB> :0<Y<1)から構成されることを特徴とするIII 族窒化物半導体素子。

F-Term (4)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40