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J-GLOBAL ID：200903009630803155

電力用半導体装置

Inventor： 井上 広一 ,  田中 明 ,  小池 義彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095577
Publication number (International publication number)：1998289968
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】絶縁モジュール型の電力用半導体装置において、窒化アルミニウムセラミックス基板に発生する応力を低減する。【解決手段】窒化アルミニウムセラミックス基板の表面側の空き領域に、電気的に接続されていない、小さいパターンを形成する。【効果】裏面との応力バランスが取れるので、応力発生を緩和できる。

Claim (excerpt)：

底面を熱膨張係数が10ppm /°C以下の素材で構成し、窒化アルミニウムセラミックスによる絶縁基板が該底面上にはんだ付けされている電力用半導体装置において、該窒化アルミニウム基板の周辺部に、電気的に接続されていない導電パターンが存在することを特徴とする電力用半導体装置。