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J-GLOBAL ID：200903009638132152
半導体材料の電気特性評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222248
Publication number (International publication number)：1996088258
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 LSI、ULSIなどのパターン化された微小動作領域の電気特性を直接測定する。【構成】 この発明の半導体材料の電気特性評価方法は、半導体材料片の表面又は断面の動作領域に微小な探針を持つプローブを接触させて電流測定ができるように半導体材料片を試料載置台に載置する。一方、電子銃やイオン銃などの荷電粒子源を動作領域付近に電流を与えることができるように配置し、電子ビーム又はイオンビームを動作領域又はその近傍に的を絞って照射する。そして与えられた電流の一部がプローブの探針に流れるように探針を動作領域に相当する部位に接触させて走査して電流を測定し、動作領域内での電流の変化を検出する。こうして検出される電流の変化は動作領域の電気抵抗値に依存するので、動作領域の抵抗値分布の評価ができ、さらに電気抵抗値から換算して不純物濃度が推定する。
Claim (excerpt)：
移動、位置調整が可能な載置台に半導体材料を載置し、前記半導体材料の所定の部位に荷電粒子を連続的に供給し、前記半導体材料の任意の部位を探針によって接触させて走査し、前記荷電粒子によって前記半導体材料に供給される電流の一部を前記探針によって計測し、同時に前記半導体のベース部分からのアース電流を計測し、前記探針の接触部位各々における当該探針によって計測される電流値と前記アース電流値との電流比を求めることを特徴とする半導体材料の電気特性評価方法。
IPC (2)：
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