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J-GLOBAL ID：200903009640074844

III族窒化物発光素子の製造方法

Inventor： 太田 啓之 ,  渡辺 温 ,  田中 利之 ,  佐藤 均 ,  高橋 宏和 ,  木村 義則 ,  陳 農 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994167033
Publication number (International publication number)：1996032114
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 純度の高い青色を発光する発光ダイオードや半導体レーザダイオードなどのIII族窒化物半導体発光素子の製造方法、結晶層成膜方法又は改質処理方法を提供する。【構成】 III族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、少なくとも1つのIII族窒化物半導体(Ga1-xAlx)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を形成する成膜工程と、結晶層への原子状水素を拡散させる水素拡散工程とを含み、その水素拡散工程により、結晶層のみを改質する。

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体(Ga1-xAlx)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)を主成分とする結晶層からなる半導体素子の製造方法であって、少なくとも1つのIII族窒化物半導体(Ga1-xAlx)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を形成する成膜工程と、前記結晶層への原子状水素を拡散させる水素拡散工程とを含むことを特徴とする。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18