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J-GLOBAL ID：200903009644287826
タンタル金属薄膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345113
Publication number (International publication number)：1993171417
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】微細な加工を伴う集積回路素子、光集積回路素子、光電変換回路素子、光学表示回路素子に使用される低抵抗タンタル金属薄膜製造方法を提供する。【構成】タンタル金属の立方晶(α相)を選択的に得るために、ニオブ金属を混入させたタンタル金属タ-ゲットを用いたり、タンタル金属とニオブ金属を各独立ターゲットとして用いたり、ニオブ金属蒸着膜上にタンタル金属を蒸着させることを特徴とするスパッタ法による薄膜製造方法で、さらに製造雰囲気として、微量の窒素ガスもしくは窒素系ガスを混入させた雰囲気中で実施する。
Claim (excerpt)：
タンタル金属薄膜をスパッタ法により作製するに際し、i)ニオブ金属を混入させたタンタル金属をタ-ゲットとして同時に蒸着を行うか、ii)タンタル金属とニオブ金属を別々のターゲットとして同時に蒸着を行うか、予めニオブ金属の蒸着を行った後にタンタル金属の蒸着を行って、体心立方晶タンタル金属薄膜を優先的に形成することを特徴とするタンタル金属薄膜製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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