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J-GLOBAL ID：200903009673967771

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 花岡 秀安
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991300450
Publication number (International publication number)：1993136098
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【構成】プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング中に、受光窓118,117でプラズマ発光をモニタ-し、そのプラズマ発光強度により、反応ガス流量をマスフロコントロ-ラ-115,116にて制御して、チャンバ-内のプラズマ密度を均一化させる。【効果】プラズマ密度が均一化しSiO2エッチングにおいてウェハ-面内のSiO2のエッチングレ-トとの均一性が向上する。同様にプラズマエッチング装置にてポリシリコンまたはアルミニウム合金のエッチングを行うと同様な効果が期待できる。

Claim (excerpt)：

プラズマを利用したエッチング装置において少なくとも2つ以上のプラズマ受光センサ-を有し、また、少なくとも2つ以上の反応ガス噴出口を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。