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J-GLOBAL ID：200903009684626011

半導体装置の製造方法

Inventor： 中野 正 ,  神力 博 ,  佐藤 伸良 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332961
Publication number (International publication number)：1995193129
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコン基板11の表面にBPSG膜12を形成し、その上にその上にアルミ配線13を形成し、さらにプラズマ-TEOS CVD 膜14を形成した後、タンタル酸化膜、チタン酸化膜などの金属酸化膜より成る中間絶縁膜15を形成し、次にTEOS, TMOSなどの有機ケイ素化合物を原料ガスとする化学気相成長、例えば常圧オゾン-TEOS CVDにより絶縁膜16を形成する。このように金属酸化膜より成る中間絶縁膜を形成することにより埋め込み性が良く、ボイドが無く、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地絶縁膜の上に100 オングストローム以下の薄い絶縁膜を形成した後、有機シラン化合物を原料として用いる化学気相成長によって絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316