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J-GLOBAL ID：200903009684856939

III-V族化合物混晶半導体薄膜の気相成長方法

Inventor： 嶋津 充 ,  木村 浩也
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994067331
Publication number (International publication number)：1995283141
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 III 族元素としてAlと他の元素を含有するIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法において、Al組成の精密な制御を可能とした気相成長方法を提供しようとするものである。【構成】 V族有機金属化合物に添加するV族水素化物の流量を調節することにより、Alの混晶比を制御することを特徴とするIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法である。

Claim (excerpt)：

III 族元素としてAlと他の元素を含有するIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法において、V族有機金属化合物に添加するV族水素化物の流量を調節することにより、Alの混晶比を制御することを特徴とするIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-203520
  
• 特開平3-222323
  
• 特開平3-208890