電荷検出装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163707
Publication number (International publication number)：1995022612
Application date： Jul. 02, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】フローティングダイオード増幅器型電荷検出装置において、フローティングダイオードの一部を空乏化させてリセット雑音を低減するとともに残りの空乏化しない部分ではリセット不良が発生しなようにする。【構成】上記目的を達成するために本発明は、フローティングダイオードのうち、フローティングダイオードと初段のMOS型トランジスタのゲート電極とを接続する金属配線のフローティングダイオード上のコンタクト部の一部を含みリセットトランジスタのゲート電極までの領域は空乏化させず、上記の領域以外の領域は低濃度nウェル領域を形成して通常のリセット動作で空乏化させる構造とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、信号電荷入力装置から入力された信号電荷を蓄積するフローティングダイオードと、前記フローティングダイオードに接続され信号電荷が入力された際の前記フローティングダイオードの表面電位の変化を検出し出力する出力プリアンプと、前記検出動作終了後不用となった信号電荷を外部に排出するリセットトランジスタとを備えたフローティングダイオード増幅器型電荷検出装置において、前記フローティングダイオードのうち、前記フローティングダイオードと出力プリアンプのゲート電極とを接続する金属配線の前記フローティングダイオード上のコンタクト部から前記リセットトランジスタのゲート電極までの間の、前記コンタクト部を形成する高濃度領域の少なくとも一部を含み、なおかつ前記リセットトランジスタのゲート電極直下の部分の少なくとも一部と接する領域の空乏化電位は前記リセットトランジスタがオンした時のチャネル電位より高く、前記の領域以外の領域の空乏化電位は前記チャネル電位より低くしたことを特徴とする電荷検出装置。

IPC (5)：

H01L 29/762 , H01L 21/339 , H01L 27/148 , H03F 3/70 , H04N 5/335

FI (2)：

H01L 29/76 301 C , H01L 27/14 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平4-180676
固体撮像装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-277733 Applicant：松下電子工業株式会社

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