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J-GLOBAL ID：200903009687747383

半導体装置の製造方法

Inventor： 原 直紀
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233547
Publication number (International publication number)：1994085239
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層の製造方法及びその方法を使用して製造されたノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を介してオーミックコンタクトが形成されているHEMT及びHBTに関し、界面への不純物の蓄積がなく、表面モホロジの良好なノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 GaAs基板上にインジウム組成が0から0.5に変化する組成傾斜InGaAs層をインジウム組成の増加とともに基板温度を降下させながら形成し、この組成傾斜InGaAs層上にインジウム組成が0.5のInGaAs層を形成して、ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形成し、このノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層上に金属電極を形成するようにする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上にインジウム組成が0から0.5に変化する組成傾斜InGaAs層をインジウム組成の増加とともに基板温度を降下させながら形成し、該組成傾斜InGaAs層上にインジウム組成が0.5のInGaAs層を形成して、ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形成し、該ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層上に金属電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F