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J-GLOBAL ID：200903009688243788

半導体発光ダイオード

Inventor： 虫上 雅人
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994328336
Publication number (International publication number)：1996186289
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光ダイオードにおいて、表面電極から発光領域に至る電流分布の改善により、光取出し効率および輝度の向上をはかる。【構成】 半導体基板1上に形成される発光ダイオードにおいて、発光領域層の上に高抵抗層5が、さらにその上にその表面を一部露呈したまま低抵抗層6が、順次形成され、これら両抵抗層の表面に渡って発光表面側の電極8が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該基板上に形成され、複数の半導体層からなる発光領域層と、該発光領域層の上に形成され、比較的電気抵抗の高い半導体からなる高抵抗層と、該高抵抗層の一部表面を除いてその上に形成され、比較的電気抵抗の低い半導体からなる低抵抗層と、前記高抵抗層および低抵抗層の両表面上に渡ってそれらの上に形成される電極とからなり、前記発光領域層を構成する1つの半導体層に対し、その下方に位置する半導体層もしくは基板がすべて第1導電型で、その上方に位置する半導体層がすべて第2導電型である半導体発光ダイオード。