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J-GLOBAL ID：200903009692086379
非線形光学半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344760
Publication number (International publication number)：1994194698
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、非線形光学半導体装置に関し、ホールをバリア層から速くトンネリングさせて活性層中でのホールの蓄積を生じ難くすることができ、活性層での光の吸収の低下及び飽和を生じさせることなく光吸収の回復時間を大幅に短縮することができ、高速化を実現することができる非線形光学半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体量子井戸活性層を挟んで該半導体量子井戸活性層より小さい格子定数を有し、かつ該半導体量子井戸活性層より大きいバンドギャップを有する半導体バリア層が形成され、該半導体バリア層の両側に入射光により該半導体量子井戸活性層中に励起された電子及びホールがトンネル可能なバンドギャップを有し、かつ該半導体量子井戸活性層よりも厚膜の半導体層が形成されてなるように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体量子井戸活性層を挟んで該半導体量子井戸活性層より小さい格子定数を有し、かつ該半導体量子井戸活性層より大きいバンドギャップを有する半導体バリア層が形成され、該半導体バリア層の両側に入射光により該半導体量子井戸活性層中に励起された電子及びホールがトンネル可能なバンドギャップを有し、かつ該半導体量子井戸活性層よりも厚膜の半導体層が形成されてなることを特徴とする非線形光学半導体装置。
IPC (2)：
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