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J-GLOBAL ID：200903009706192371

全フツ素化ポリイミド、その中間体および出発物質およびそれらの製造方法ならびに全フツ素化ポリイミド光学材料

Inventor： 安藤 慎治 ,  松浦 徹 ,  佐々木 重邦 ,  山本 二三男
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235020
Publication number (International publication number)：1993001148
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】 1,4-ビス(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物、1,4-ジフルオロピロメリット酸二無水物または1,4-ビス(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物と、テトラフルオロ-1,3-フェニレンジアミン、テトラフルオロ-1,4-フェニレンジアミン、ビス(4-アミノ-テトラフルオロフェニル)エーテルまたはビス(4-アミノ-テトラフルオロフェニル)スルフィドとから全フッ素化ポリアミド酸を合成し、加熱閉環して全フッ素化ポリイミドを得、これを主構成要素とする光学材料とする。1,4-ビス(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物等の合成法も示す。【効果】 全フッ素化ポリイミドは耐熱性を有するとともに1.0〜1.7μmの光通信波長全域で光損失が低い。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1):【化1】(式中R1 は4価の有機基、R2 は2価の有機基を示し、R1 およびR2 に含まれる炭素と一価元素の化学結合として炭素-フッ素結合のみを含む)で表わされる繰り返し単位を有することを特徴とする全フッ素化ポリイミド。

IPC (4)：

C08G 73/10 NTF ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/00 391 ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-189122
  
• 特開昭62-127827
  
• 特開平1-118527