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J-GLOBAL ID：200903009714381213

半導体薄膜形成方法およびその方法により形成された半導体薄膜を用いた光起電力装置。

Inventor：
島 正樹

About 島 正樹


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004088753
Publication number (International publication number)：2005277133
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：
【課題】 この発明は、触媒CVD法において、薄膜材料の成膜速度を高速に維持しつつ、基板への輻射熱の影響を抑制することを目的とするものである。【解決手段】 この発明は、触媒CVDに用いる線状の触媒体3に実質的に密に構成されている部分31と疎32に構成されている部分を混在して設け、かつ密に構成されている部分31は、疎に構成されている部分32の少なくとも一部よりも基板との距離が遠く設定する。そして、記触媒体3を高温に加熱し、加熱された触媒体3に対し原料となるガスを供給し、ガス分子が触媒体3の表面にて分解されることにより生成される活性種およびそれら活性種の高次反応により生成された活性種によって半導体薄膜を形成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
線状の触媒体に実質的に密に構成されている部分と疎に構成されている部分を混在して設け、かつ密に構成されている部分は、疎に構成されている部分の少なくとも一部よりも基板との距離を遠く設定し、前記触媒体を高温に加熱し、加熱された触媒体に対し原料となるガスを供給し、ガス分子が前記触媒体の表面にて分解されることにより生成される活性種およびそれら活性種の高次反応により生成された活性種によって基板上に半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 A ,  H01L31/04 V
F-Term (27)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030FA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA14 ,  5F051CA24 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 触媒化学蒸着装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-259432   Applicant：松村英樹, アネルバ株式会社
Cited by examiner (3)

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