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J-GLOBAL ID：200903009740841621

電荷トラツプ膜

Inventor： 下地 規之
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991313318
Publication number (International publication number)：1993129632
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 深いトラップ準位を有し、しかも優れた絶縁耐圧を持った電荷トラップ膜を提供する。【構成】 シリコン基板11上のトンネル酸化膜12の上に電荷トラップ膜15が形成されている。この電荷トラップ膜15は、ポリシリコン膜中のシリコングレイン13を熱酸化膜14あるいは熱シリコン窒化膜のような熱絶縁膜で覆うことにより形成されている。シリコングレイン13は、必要により、燐等の不純物がドープされる。熱酸化膜14のような熱絶縁膜は、スパッタリングやCVD法で得られる酸化膜に比べて、絶縁性が優れているので、電荷トラップ膜15は高い絶縁耐圧を持つ。また、熱酸化膜14で覆われたシリコングレイン13は、深いトラップ準位を持つので、信号電荷の保持特性に優れている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜の上に形成された電荷トラップ膜において、前記電荷トラップ膜は、ポリシリコン膜中のシリコン結晶粒が熱絶縁膜で覆われていること、を特徴とする電荷トラップ膜。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭47-033576
  
• 特開昭49-052581
  
• 特開昭48-045143
  
• 特公昭52-023233