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J-GLOBAL ID：200903009760570381

半導体製造装置

Inventor： 金子 豊 ,  松島 勝 ,  金友 正文 ,  菅谷 昌和 ,  三木 浩史 ,  古澤 健志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997074982
Publication number (International publication number)：1998270436
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】装置トラブルを防止し、保守を容易にし、稼働率を向上させ、常温で液体又は固体である原料を気化し材料ガスとして供給し成膜したり、又は反応ガスとして供給し反応させたりするのに好適な半導体製造装置を提供する。【解決手段】エネルギ線照射手段を収納する独立したエネルギ線照射室を配設し、反応処理ガスが接触しない手段を設けた。

Claim (excerpt)：

基板反応処理室と、上記基板反応処理室内に保持された試料基板に常温で液体又は固体である原料をガス化し供給する手段と、エネルギ線照射下で上記ガスを上記試料基板表面に接触させて上記試料基板表面を反応処理させる手段とを含む半導体製造装置において、上記エネルギ線照射手段を収納する独立したエネルギ線照射室を配設し、上記エネルギ線照射手段に上記ガスが接触しない手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205