Pat
J-GLOBAL ID:200903009772270596
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003296000
Publication number (International publication number):2005062722
Application date: Aug. 20, 2003
Publication date: Mar. 10, 2005
Summary:
【課題】160nm以下、具体的にはF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源使用時に十分な透過性を示し、表面ラフネス、現像欠陥、スカム、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物及び(B)下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び特定の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(C)溶済を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、
(B)下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び下記一般式(II)〜(VI)で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び
(C)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (6):
G03F7/039
, C08F212/14
, C08F220/18
, C08F220/22
, C08F232/00
, H01L21/027
FI (6):
G03F7/039 601
, C08F212/14
, C08F220/18
, C08F220/22
, C08F232/00
, H01L21/30 502R
F-Term (35):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AB07S
, 4J100AL08Q
, 4J100AL26R
, 4J100AR11P
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA08P
, 4J100BA10S
, 4J100BB18P
, 4J100BB18S
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-182430
Applicant:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-182417
Applicant:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
Return to Previous Page