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J-GLOBAL ID：200903009774748701

半導体装置

Inventor： 水梨 晴美
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994287727
Publication number (International publication number)：1996148525
Application date： Nov. 22, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】樹脂封止型PKGやベアチップにおける放熱性や高速性を簡便な手段で向上させる。【構成】TABテープのリード3の下面および上面に金属箔4のリード3に向ける面に絶縁層5を形成した電源用のシート配線6および接地用のシート配線6aを重ねて所要の位置の絶縁層5を破壊しながらスポット熔接し、半導体チップ1の放熱を高め、且つ大電流配線の抵抗を下げる。

Claim (excerpt)：

半導体チップの周囲に配置して前記半導体チップと電気的に接続したリードを有するTABテープと、前記リードの上面又は下面の少くとも一方に配置して前記リードと向い合う面に絶縁層を設け且つスポット熔接により前記絶縁層を部分的に破壊して前記リードと電気的に接合した金属箔とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (3)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 E ,  H01L 23/12 J