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J-GLOBAL ID：200903009787399641

磁気ヘツドおよび磁気デイスク装置

Inventor： 山本 尚之 ,  高橋 実 ,  篠原 正喜
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991171173
Publication number (International publication number)：1993020635
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】必要に応じて磁気ヘッドの磁極先端部を突出させて、磁極先端部と磁気ディスク面との間隙を小さくすることを目的とする。【構成】基板1上に、下部磁極2と、絶縁体層3を介して絶縁されて形成された薄膜コイル4と、上部磁極5と、保護層6とが順次形成された薄膜磁気ヘッド素子7を有する磁気ヘッド8において、必要に応じて通電して発熱させることにより磁極先端部9を熱膨張させて突出させるようにした薄膜抵抗体10を前記絶縁体層3の内部に形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドとしたものである。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に、下部磁極(2)と、絶縁体層(3)を介して絶縁されて形成された薄膜コイル(4)と、上部磁極(5)と、保護層(6)とが順次形成された薄膜磁気ヘッド素子(7)を有する磁気ヘッド(8)において、必要に応じて通電して発熱させることにより磁極先端部(9)を熱膨張させて突出させるようにした薄膜抵抗体(10)を前記絶縁体層(3)の内部に形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッド。

IPC (2)：

G11B 5/31 ,  G11B 5/012