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J-GLOBAL ID:200903009807275421
ポジ型レジスト組成物
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002126433
Publication number (International publication number):2003316007
Application date: Apr. 26, 2002
Publication date: Nov. 06, 2003
Summary:
【要約】【課題】 160nm以下、具体的にはF2エキシマレーザー光(157nm)の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高解像で、現像液に対する接触性に優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)-SO2-O-基を有する繰り返し単位を少なくとも1種有し、更にフッ素原子と酸分解性基とを有する繰り返し単位を少なくとも1種有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(I)又は(II)で表される繰り返し単位を少なくとも1種有し、更に下記一般式(IA)〜(VIA)から選ばれる繰り返し単位を少なくとも1種有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)〜(II)中、RX1及びRY1は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。L1は、2価の連結基を表す。m1及びm2は、0又は1を表す。Ra1及びRb1は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。Q1は、脂環式炭化水素基を表す。Rbは、水素原子、有機基又はハロゲン原子を表す。lは、0〜3の整数を表す。L2は、単結合又は2価の連結基を表す。【化2】一般式(IA)〜(VIA)中、R1及びR2は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。Xは、酸の作用により分解する基を表す。R3a及びR4aは、酸の作用により分解する基を表す。R11〜R16、R21〜R32、R41〜R46、R51〜R56は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。但しR11〜R16の少なくとも1つ、R21〜R32の少なくとも1つ、R41〜R46の少なくとも1つ又はR51〜R56少なくとも1つはフッ素原子である。nは、1〜5の整数を表す。
IPC (5):
G03F 7/039 601
, C08F 12/30
, C08F 32/00
, C08F220/00
, H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/039 601
, C08F 12/30
, C08F 32/00
, C08F220/00
, H01L 21/30 502 R
F-Term (38):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB41
, 2H025FA17
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AE38Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL26P
, 4J100AL26Q
, 4J100AR11P
, 4J100AR11Q
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA05P
, 4J100BA05Q
, 4J100BA06Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA20Q
, 4J100BA22Q
, 4J100BA58P
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC04Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100CA04
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-240600
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-029257
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
ポジ型感光性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-024011
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-036178
Applicant:松下電器産業株式会社
-
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-108824
Applicant:ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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新規多環式不飽和炭化水素誘導体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-148976
Applicant:東京応化工業株式会社
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高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-375504
Applicant:信越化学工業株式会社
-
新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-075440
Applicant:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
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高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-073273
Applicant:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-086459
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-197475
Applicant:富士通株式会社
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