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J-GLOBAL ID：200903009808344583

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 植西 俊哉 ,  鈴木 範夫 ,  小坂 雄二 ,  中村 敦司 ,  佐藤 友美
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992120312
Publication number (International publication number)：1993315320
Application date： May. 13, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の素子分離酸化膜のバーズビーク長をマスクのパターンに関係なく均一にし、2層ゲート構造における2層目のゲート酸化膜の落ち込みをなくし、ゲート耐圧の向上を図る。【構成】 窒化シリコン膜1をマスクとし、酸化膜2を通してシリコン基板5に酸素4あるいはシリコン4を斜めに注入した後に、酸化性雰囲気中で熱処理し、素子分離酸化膜5を形成する。

Claim (excerpt)：

素子分離酸化膜を形成する工程を有する半導体集積回路装置の製造方法において、シリコン基板に、窒化シリコン膜をマスクとして酸素を斜めに注入して、前記窒化シリコン膜の周辺下のシリコン基板に予め酸素を供給し、次いで、酸化性雰囲気中で熱処理することにより、半導体素子分離酸化膜を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76