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J-GLOBAL ID：200903009813123528
化合物半導体薄膜層の成膜方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992036781
Publication number (International publication number)：1993234890
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】CuInSe2 薄膜層のCu/In比の異なる2層の積層を、待ち時間の必要のない連続した蒸着作業で形成する。【構成】Cu、In、Seの各蒸発源の温度は一定にしておき、CuおよびInの蒸発源からの蒸発ビームの照射時間を独立して制御することにより膜組成を変える。例えば全蒸発ビームを連続して照射してCuに富む層を形成したのち、Cuの蒸発源からの蒸発ビームのみを間歇的に照射してCuの少ない層を形成する。あるいは、Inの蒸発源からの蒸発ビームのみを間歇的に照射してCuに富む層を形成し、Cuの少ない層は全蒸発源からの蒸発ビームの照射により形成する。
Claim (excerpt)：
複数の蒸発源を有する蒸発装置を用い、各蒸発源を所定の温度で加熱しながら、それぞれの蒸発源からの蒸発ビームの照射時間およびその継続時間を独立して制御することを特徴とする化合物半導体薄膜層の成膜方法。
IPC (4)：
H01L 21/203
, C01B 19/04
, C30B 23/08
, H01L 31/04
