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J-GLOBAL ID：200903009816042146

半導体レーザ装置

Inventor： 平本 清久 ,  佐川 みすず ,  藤崎 寿美子 ,  豊中 隆司 ,  紀川 健
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996236141
Publication number (International publication number)：1998084158
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、GaAs基板上に形成されたInGaAs歪量子井戸から成る応力補償型量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子の信頼性を向上することを目的とする。【解決手段】 上記目的は活性層の障壁層にGaAsより格子定数の小さいIn1-xGaxAsyP1-y又は(AlxGa1-x)yIn1-yP又は(AlxGa1-x)yIn1-yAsを用い、障壁層とInGaAs量子井戸層の間に、両層の中間の格子定数を持つInGaAs歪中間層を形成することにより達成される。【効果】 応力補償型量子井戸構造の量子井戸層と障壁層界面における結晶性が向上し、半導体レーザ素子の信頼性を格段に向上できる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成され、少なくとも1層の光を発生するInx1Ga1-x1As量子井戸層(1≧x1>0)と、該量子井戸層よりも屈折率が小さく且つ禁制帯幅の大きいクラッド層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造から構成される半導体レーザ装置において、上記Inx1Ga1-x1As量子井戸層の両側又は片側一方に隣接して少なくとも1層のInx2Ga1-x2As層が形成され、該Inx2Ga1-x2As層の格子定数が上記Inx1Ga1-x1As量子井戸層よりも小さい(x1>x2>0)ことを特徴とし、かつ該Inx2Ga1-x2Asに隣接して障壁層が形成され、該障壁層の格子定数がGaAsよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 面発光型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-013476   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055421   Applicant：株式会社日立製作所