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J-GLOBAL ID：200903009817106504
半導体エネルギー検出器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182354
Publication number (International publication number)：1994029506
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、短波長光等のエネルギー線に対する感度が良好な半導体エネルギー検出器を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウエファ(35)上には、CCD(31)を有するP型エピ層(24)が設置されている。このP型エピ層(24)には、P+ 層(27)が設けられている。さらに、P型エピ層(24)の上側にはシリコンウエファ(29)が設けられている。このシリコンウエファ(29)は、パッケージ(38)の窓材(40)から入射する短波長光を受光する領域のみエッチングにより除去され、開孔を形成している。上述の構造を有する裏面照射型半導体エネルギー検出器では、アキュームレーション状態が維持される。したがって、短波長光に対する感度が同一チップ内で均一に、しかも安定している検出器となる。
Claim (excerpt)：
P型の半導体薄板の表面に電荷読み出し部が形成され、前記P型の半導体薄板の裏面からエネルギー線が入射される半導体エネルギー検出器において、前記P型の半導体薄板の裏面には、不純物がドープされてなるP+ 型の高濃度層が形成されていることを特徴とする半導体エネルギー検出器。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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