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J-GLOBAL ID：200903009823213517

湿度センサ

Inventor： 池尻 昌久 ,  千葉 悟志 ,  濱 辰男
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992209206
Publication number (International publication number)：1994058900
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板にSiO2をスパッタし、絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に、Cr、Auを蒸着し、櫛形電極を形成し、この櫛形電極が形成された絶縁膜上に感湿膜を形成し、湿度センサとする。【効果】 大型の安い基板が使え、量産性が良くなり、1個当りのコストが安くなる。大量生産に適したプロセスが使えるため、量産性がよく、応答性が速く、信頼性も高い。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に感湿膜が形成されることを特徴とする湿度センサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/22