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J-GLOBAL ID：200903009825087713
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150945
Publication number (International publication number)：1996321624
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ソース電極およびドレイン電極のオーミック特性が良好で、ソース領域およびドレイン領域の直列抵抗が低く、しかもソース領域およびドレイン領域の接合が逆バイアスされたときのリーク電流が少ない薄膜トランジスタを実現する。【構成】 活性層にa-Si:H薄膜2を用いた薄膜トランジスタにおいて、ソース領域3およびドレイン領域4のうちのソース電極7およびドレイン電極8のコンタクト部3a、4aをPドープ多結晶Siにより形成し、その他の部分はa-Si:H,Pにより形成する。Pドープ多結晶Siからなるコンタクト部3a、4aは、a-Si:H,Pに紫外レーザ光を照射して溶融再結晶化を行うことにより形成する。
Claim (excerpt)：
活性層にアモルファス半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、ソース領域のうちのソース電極のコンタクト部およびドレイン領域のうちのドレイン電極のコンタクト部は多結晶半導体からなり、上記ソース領域のうちの上記ソース電極のコンタクト部以外の部分および上記ドレイン領域のうちの上記ドレイン電極のコンタクト部以外の部分はアモルファス半導体からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 G
