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J-GLOBAL ID：200903009826232440

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： 小倉 秀満
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995084859
Publication number (International publication number)：1996255847
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 トンネル領域を浮遊ゲートの外側に形成して加工制御性を良くして書込み/消去特性の優れた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリトランジスタの浮遊ゲート6は、カップリング領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたその制御ゲート7と連続的に接続されている。メモリトランジスタのトンネル電流が出入りするトンネル領域は、浮遊ゲート6の一部がその直下に形成され、浮遊ゲート6下のゲート絶縁膜より薄いゲート絶縁膜30から構成されている。浮遊ゲート6のトンネル領域10上の領域は、浮遊ゲート6の外周に配置され、浮遊ゲートに突出するように形成されている。前記薄いゲート絶縁膜30の面積はトンネル領域10より十分広くなっている。トンネル酸化膜は浮遊ゲートの外に形成した薄い酸化膜の一部として形成されるので浮遊ゲートのトンネル領域を形成する際に位置合わせが不要になる。

Claim (excerpt)：

メモリトランジスタと選択トランジスタが形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成された前記メモリトランジスタのソース/ドレイン領域と、前記半導体基板に形成され、前記ソース/ドレイン領域とは離隔して形成された前記メモリトランジスタのカップリング領域と、前記半導体基板の前記ソース/ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された前記メモリトランジスタの浮遊ゲートと、前記半導体基板の前記カップリング領域上にゲート絶縁膜を介して形成され、かつ、前記浮遊ゲートとは連続的に形成された前記メモリトランジスタの制御ゲートと、前記浮遊ゲートの一部の直下に形成され、前記浮遊ゲート下の前記ゲート絶縁膜より薄いゲート絶縁膜から構成され、かつトンネル電流が出入りするトンネル領域とを備え、前記浮遊ゲートの前記トンネル領域上の領域は、前記浮遊ゲートの外周に配置され、前記浮遊ゲートに突出するようにトンネルウインドウ領域として形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434