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J-GLOBAL ID：200903009836185490

半導体発光装置

Inventor： 成田 里安
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184426
Publication number (International publication number)：1993129727
Application date： Jul. 24, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体発光装置に関し、しきい値電流を任意の値に調節した半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 第1の導電型の化合物半導体基板1と、その上に形成された第1の導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有するクラッド層2と、その上に形成された任意の導電型、キャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有する活性層3と、その上に形成された第2の導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有するクラッド層4、10と、その上に形成された第2の導電型のコンタクト層11を有し、活性層3あるいはクラッド層4、10の全体もしくは一部に所期の導電型とキャリア濃度を維持しながら、第1の導電型および第2の導電型の不純物を共に導入して活性層3あるいはクラッド層4、10の不純物による吸収損失を調節し、所望の発振しきい値電流を得るように構成した。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の化合物半導体基板と、その上に形成された第1の導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有するクラッド層と、その上に形成された任意の導電型、キャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有する活性層と、その上に形成された第2の導電型で任意のキャリア濃度、屈折率、エネルギー幅を有するクラッド層と、その上に形成された第2の導電型のコンタクト層を有し、所望の発振しきい値電流が得られるように、該活性層あるいはクラッド層の全体もしくは一部に所期の導電型とキャリア濃度を維持しながら、第1の導電型および第2の導電型の不純物が共に導入され、活性層あるいはクラッド層の不純物による吸収損失が調節されてなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00