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J-GLOBAL ID：200903009842211932

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置の製造方法

Inventor： 大塚 信幸 ,  向井 剛輝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995110688
Publication number (International publication number)：1996307015
Application date： May. 09, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 量子箱からの発光波長を一定範囲で制御可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板の上に、3次元的に量子閉じ込めを行う量子箱を半導体を用いて形成する工程と、前記量子箱を形成する温度よりも高い温度で、前記量子箱を熱処理する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

基板の上に、3次元的に量子閉じ込めを行う量子箱を半導体を用いて形成する工程と、前記量子箱を形成する温度よりも高い温度で、前記量子箱を熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/06

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/06