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J-GLOBAL ID：200903009844143543

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
姉崎 徹

About 姉崎 徹

, 
池増 慎一郎

About 池増 慎一郎


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000323479
Publication number (International publication number)：2001196564
Application date： Oct. 24, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】寄生容量を増加させることなく、工程を増加することなく、且つ、欠陥を発生させることなく、量産ラインにおいて微細ビアホールを迅速且つ正確に形成する。【解決手段】 半導体基板1上に設けた第1の絶縁膜2と、第1の絶縁膜2の上に設けた第2の絶縁膜3と、第1の絶縁膜2及び第2の絶縁膜3を上下に貫通し、第2の絶縁膜3の上方に延在する導電体で形成されたコンタクトプラグ5と、少なくともコンタクトプラグ5の上面及び第2の絶縁膜3の一部に接して形成された導電体膜とを設けて半導体装置を構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成した第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成した第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を上下に貫通し、前記第2の絶縁膜の上方に延在する導電体で形成されたコンタクトプラグと、少なくとも前記コンタクトプラグの上面及び前記第2の絶縁膜の一部に接して形成された導電体膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768
FI (7)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 681 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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