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J-GLOBAL ID：200903009844301823

位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor： 岡崎 智 ,  丸山 保 ,  稲月 判臣 ,  金子 英雄 ,  高野 伸一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000047373
Publication number (International publication number)：2001235849
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】 露光光が透過する基板上に第2光透過部の位相シフターをフッ素ドープしたモリブデンシリサイド膜又はフッ素ドープしたクロムシリサイド膜で形成してなり、これらシリサイド膜が、反応性ガスとしてSiF2を用いて形成されたものであることを特徴とする位相シフトマスク及びその製造方法を提供する。【効果】 本発明によれば、短波長の光源であっても十分な透過率と経時安定性を有し、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができる高性能な位相シフトマスクを得ることができる。

Claim (excerpt)：

露光光が透過する基板上に第2光透過部の位相シフターをフッ素ドープしたモリブデンシリサイド膜で形成してなり、このフッ素ドープしたモリブデンシリサイド膜が、スパッタリングターゲットとしてモリブデン金属を用い、かつ反応性ガスとしてSiF2を用いて形成されたものであることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (7)：

2H095BA07 ,  2H095BB03 ,  2H095BB06 ,  2H095BB15 ,  2H095BB16 ,  2H095BC01 ,  2H095BC24