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J-GLOBAL ID：200903009846238746

光起電力素子

Inventor： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349586
Publication number (International publication number)：1994204526
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 長波長の感度、フィルファクターを向上させること、光電変換効率を向上させ、光劣化を抑制し、フィールド耐久性を向上させ、温度特性を改善することである。【構成】 水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるp層、水素を含有する非晶質シリコンゲルマニウム系半導体からなるi層、水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるn層を基板状に積層し、i層はマイクロ波プラズマCVD法を用いて基板温度400〜600°Cで形成され、且つi層は微結晶ゲルマニウムを含有し、その微結晶ゲルマニウムの粒径は50〜500オングストロ-ムである。また、微結晶ゲルマニウムの含有量が層厚方向に変化している。

Claim (excerpt)：

水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるp層、水素を含有する非晶質シリコンゲルマニウム系半導体からなるi層、水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるn層を基体上に積層し、i層はマイクロ波プラズマCVD法を用いて基体温度400〜600°Cで形成され、かつ該i層は微結晶ゲルマニウムを含有し、該微結晶ゲルマニウムの粒径が50〜500オングストロ-ムであることを特徴とする光起電力素子。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/10 A