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J-GLOBAL ID：200903009849986484

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置

Inventor： 宗片 比呂夫 ,  大岩 顕 ,  近藤 剛 ,  腰原 伸也
Applicant, Patent owner： 財団法人 理工学振興会 ,  財団法人神奈川科学技術アカデミー
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001203934
Publication number (International publication number)：2003017782
Application date： Jul. 04, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。【解決手段】 固定磁化層の上に絶縁層を積層し、該絶縁層の上に、キャリヤ誘起磁性を備え、キャリヤスピンの注入により磁化の方向が反転する磁化反転層を積層するとともに、上記磁化反転層の表面に、該磁化反転層にキャリヤスピンを注入する電極を配置し、誘導磁界に依らず磁化の方向が反転することを特徴とするキャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子。

Claim (excerpt)：

固定磁化層の上に絶縁層を積層し、該絶縁層の上に、キャリヤ誘起磁性を備え、キャリヤスピンの注入により磁化の方向が反転する磁化反転層を積層し、誘導磁場に依らず磁化の方向が反転することを特徴とするキャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105

FI (7)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

F-Term (24)：

2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA15 ,  5F083HA06 ,  5F083JA51 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22